Установки ML200/300 использует мультифотонную абсорбцию – феномен оптического повреждения, которое возникает когда сила лазерного излучения радикально увеличивается – лазерное излучение фокусируется внутри обрабатываемого материала. Таким образом происходит модификация внутреннего слоя в результате чего возможно провести разделение кристаллов. Другими словами, пластины наклеенные на пленке подвергаются воздействию лазерного излучения и с помощью последующего растяжения пленки могут быть разделены на отдельные кристаллы. Данные установки предоставляет возможность резки пластин толщиной до 30 мкм. При этом скорость резки на таких пластинах доходит до 300 мм/сек. Установки данной серии позволяют производить резку пластин на кристаллы очень малых размеров. Кроме этого, на данном оборудовании можно работать с элементами, которые не переносят влагу, т.к. это абсолютно сухой процесс. В результате процесса образуются аккуратные кристаллы, система не повреждает их кромку и поверхность.
Особенности установки
- высокое качество обработки
- возможно разделение сверхтонких пластин (30 мкм)
- высокая скорость резки (300/600 мм/сек)
- минимальное скалывание кромок
- полностью сухой процесс
- скорость разделения в 4 раза быстрее чем при дисковой резке
- высокий выход годных изделий
Прочность на изгиб
Поскольку пластины разделяются путем модификации внутреннего слоя, не производится воздействие на поверхности пластин минимизируется эффект раскрошивания и скалывания, что приводит к повышению прочности на изгиб и разлому на этапе корпусирования, когда кристаллы захватываются с пластиныВысокая надежность
- Улучшенный узел поддержки пластин
- Снижение стоимости операции разделения
- Отсутствие отходов
- Нет необходимости в замене дисков
- Нет необходимости в воде для охлаждения пластин
Основные технические характеристики
- Размер пластин 50-300 мм
- Перемещение по X 419/560 мм
- Скорость подачи 0,1-600 мм/сек
- Разрешение позиционирования 2 мкм
- Перемещение по Y 320/427 мм
- Скорость перемещения макс. 100 мм/сек
- Разрешение позиционирования 200 нм
- Точность позиционирования 2 мкм
- Перемещение по Z 9 мм
- Скорость перемещения по Z 20 мм/сек макс.
- Разрешение позиционирования 0,1 мкм
- Точность позиционирования 1 мкм
- Электропитание 380 В, 3 фазы, 50-60 Гц, 4 кВт
- Пневмопитание 5-7 бар
- Азот 5-7 бар
- Вода для охлаждения лазера 2-5 бар
- Вес 1600/1900 кг
